Фотоэлектрические характеристики структур с квантовыми ямами, чувствительных в диапазоне 3-5 мкм, выращенных методом МОС- гидритной эпитаксии
Авторы: Василевская Л. М., Кузнецов Ю. А., Куликов В. Б., Хатунцев А. И., Будкин И. В., Булаев П. В., Залевский И. Д., Мармалюк А. А., Никитин Д. Б., Падалица А. А. Петровский А. В.
76