М. А. Демьяненко, И. В. Марчишин, А. Г. Клименко, А. И. Козлов, В. Н. Овсюк, А. П. Савченко, А. И. Торопов, В. В. Шашкин
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Приведены экспериментальные результаты по разработке матричного фотоприемного модуля дальнего ИК-диапазона спектра размерностью 128x128. Модуль представляет собой гибридную сборку фотоприемной матрицы на основе многослойной структуры с квантовыми ямами (МСКЯ) GaAs/AlGaAs и кремниевого процессора. Температурное разрешение фотоприемного модуля NETD = 0,067 К при Т = 65 К.