В. И. Шашкин, А. В. Антонов, Д. М. Гапонова, В. М. Данильцев, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов,
А. Ю. Лукьянов, Л. Д. Молдавская, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, А. Н. Яблонский
ИФМ РАН, Н. Новгород, Россия
В. С. Туловчиков
ННГУ, Н. Новгород, Россия
Исследована ИК-фоточувствительность в селективно легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми точками, изготовленных методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Условия роста оптимизировались с помощью методов атомно-силовой микроскопии, рентгеновской дифракции, фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии. Исследование спектральных характеристик фотопроводимости (ФП) проводилось на Фурье-спектрометре ВОМЕМ. В режиме нормального падения наблюдалась фотопроводимость в области 16 мкм при Т = 4,2 К и 6 мкм — при 77 К.