К.О. Болтарь
Государственное унитарное предприятие “НПО “Орион”, Москва, Россия
Исследовано влияние тонкого поверхностного слоя инверсной проводимости в эпитаксиальных слоях р-типа Hg0,8Cd0,2Te на зависимости коэффициента Холла от магнитного поля. Разработан метод расчета концентрации и подвижности носителей заряда в эпитаксиальном слое, учитывающий наличие слоя на поверхности.