Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. О. Сусляков, В. Н. Овсюк
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
Разработана и изготовлена установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) с аналитическими средствами контроля процессов роста для выращивания соединений А2В6, в том числе и ртутьсодержащих соединений. Разработана технология выращивания гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) твердых растворов кадмий—ртуть—теллур (КРТ) методом МЛЭ с заданным изменением состава КРТ по толщине. Сконструированы и выращены ГЭС КРТ МЛЭ на подложках CdZnTe/GaAs с варизонными слоями на границах раздела пленки КРТ. Структуры были использованы для изготовления высококачественных как одиночных, так и многоэлементных фоторезисторов и фотодиодов, работающих при температурах 77 и 200-250 К в диапазонах длин волн 3—5 и 8—12 мкм, до и более 20 мкм. Широкозонные слои на границах пленки КРТ используются как пассивирующее покрытие. Узкозонный слой в пленке КРТ на границе пленка—буфер используется для снижения последовательного сопротивления в фотодиодах. Для снижения темновых токов матрицы фотодиодов, работающей при температурах вблизи 200 К, были использованы ГЭС КРТ МЛЭ со специальным распределением состава по толщине.