С. С. Асина, Д. Ю. Беккерман
ГУП “Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина”, Москва, Россия
Представлены результаты исследования возможности повышения максимально допустимой температуры (Trm) мощных кремниевых резисторов и, как следствие, увеличение номинальной мощности с помощью согласования режимов радиационно-технологического процесса с исходными электрофизическими параметрами резистивных элементов. По результатам исследований разработана технология электронного облучения и отжига, позволившая повысить максимально допустимую температуру ранее разработанных резисторов со 125 °C до 140-200 °C.