А.М. Филачев, В.П. Пономаренко, И.И. Таубкин, И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь, Л.И. Горелик, Н.В. Кравченко. А.В. Кулыманов, К.М. Куликов, В.Е. Ложников, Ю.П. Шаронов
Государственное унитарное предприятие “НПО “Орион”, Москва, Россия
Приведены основные фотоэлектрические характеристики быстродействующих фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (ФЭПП) и фотоприемных устройств (ФПУ) на основе фотодиодов GaP, Si, Ge, InGaAsP/InP, а также фотодиодов и фоторезисторов (CdHg)Te для спектрального диапазона длин волн 0,3-11 мкм. Отмечено, что основные фотоэлектрические характеристики соответствуют современному уровню зарубежных аналогов. Представлены результаты исследований ФЭПП и ФПУ на основе фотодиодов и фоторезисторов (CdHg)Te в гетеродинном режиме длине волны 10,6 мкм в полосе частот до 1000 МГц при температуре охлаждения от 80 К. Показано, что для частот до 40 Мгц фотодиоды и фоторезисторы имеют близкие пороговые характеристики. Приведены значения гетеродинного порога для фоторезисторов (CdHg)Te при рабочих температурах 200 и 300К. Даны основные характеристики быстродействующего термоохлаждаемого ФЭПП на основе фоторезистора (CdHg)Te , предложенного для индикации лазерного излучения в спектральном диапазоне 0,8-11 мкм.