В.С. Варавин, А.К. Гутаковский, С.А. Дворецкий, В.А. Карташев, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, Д.Н. Придачин, В.Г. Ремесник, С.В. Рыхлицкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.П. Титов, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.Л. Асеев
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора кадмий-ртуть-теллур (КРТ) позволяет решить проблемы получения однородных по параметрам эпитаксиальных структур КРТ на альтернативных подложках большого размера для существующих и новых поколений фотоприемников и выращивания слоев КРТ на подложках из кремния. Приведены данные по параметрам гетероэпитаксиальных структур на подложках из арсенида галлия, оборудованию для контролируемого выращивания слоев КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и условия, позволяющие получать эпитаксиальные буферные слои CdTe на кремниевых подложках.