Ю.А. Абрамян, В.И. Сераго
Институт радиофизики и электроники АН Армении, Ереван, Армения
В.И. Стафеев
Государственное унитарное предприятие “НПО “Орион”, Москва, Россия
Проведен анализ фоточувствительности полевых транзисторов с изолированным затвором. Показано, что она возрастает пропорционально смещению на затворе в степени 1/2 и убывает пропорционально падающей на затворный р-n переход мощност