Л. И. Дьяконов
Федеральное государственное унитарное предприятие “Альфа”, Москва, Россия
Методом прецизионных ВАХ изучено влияние нагрева на фоторезисторы (ФР), изготовленные по “стандартной” технологии из объемного КРТ. Фоточувствительные параметры ФР и динамику изменения кривых R = f (U), получаемых из ВАХ, измеряли до и после термообработок при температурах от 60 до 100 °С. По мере нарастания интенсивности термообработок снижается вольтовая чувствительность, приближаясь в пределе к нулевому значению. Одновременно кривые R = f (U) изменяют свою форму от исходной V-образной до конечной Л-образной для ФР, полностью потерявших чувствительность к ИК-излучению. Сильнее всего воздействует нагрев на свойства ФР с максимальной величиной темнового сопротивления, т. е. с минимальной толщиной слоя КРТ и минимальной концентрацией в нем нескомпенсированных доноров.