П. Ю. Пак, В. А. Фатеев, В. В. Шашкин
Институт физики полупроводников, г. Новосибирск, Россия
Методом сканирующей лазерной микроскопии (СЛМ) исследовано пространственное распределение электрически активных областей в МЛЭ-слоях HgCdTe (КРТ) составов х = 0,22 и х = 0,3, а также в массивах планарных фотодиодов на основе КРТ. Обнаружена корреляция между результатами СЛМ-исследования фрагмента массива планарных фотодиодов и их вольт-амперными характеристиками. Исследован характер распределения электрических неоднородностей в объеме эпитаксиальной пленки КРТ с помощью послойного стравливания. Сравнение СЛМ-изображения фрагмента МЛЭ КРТ с профилями пространственного распределения концентрации фоновых примесей (C, Cu, As, Li), полученными с помощью методики вторичной ионной масс-спектроскопии (ВИМС), позволяет говорить о корреляции пространственного положения электрических неоднородностей с пространственным распределением фоновых примесей.