В. П. Астахов, И. А. Болесов, Е. Ф. Карпенко, В. В. Карпов, П. И. Лапин, К. В. Сорокин, Н. В. Филипенко
ОАО «Московский завод “Сапфир”», Москва, Россия
Исследовано влияние имплантационной обработки периферии n+-p-переходов на обратные ветви ВАХ квадрантных 8-площадочных pin-фотодиодов (ФД) с охранным кольцом ионами азота после удаления пленки SiO2, имплантационного подлегирования бором и мезатравления. Показано, что наилучший результат соответствует случаю обработки ионами азота после подлегирования поверхности p-областей.