К. О. Болтарь, Н. И. Яковлева, С. В. Головин, В. П. Пономаренко, В. И. Стафеев, И. Д. Бурлаков
Государственное унитарное предприятие «НПО “Орион”», Москва, Россия
А. Н. Моисеев, А. П. Котков, В. В. Дорофеев
Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Н.-Новгород, Россия
Исследованы характеристики матричных фотоприемников (МФП) диапазона 3— 5 мкм формата 128x128 элементов, изготовленных на эпитаксиальных слоях соединения кадмий—ртуть—теллур (КРТ), выращенных методом химического осаждения из паров металлоорганических соединений (МОС) и ртути на подложках GaAs ориентации (100) и (111)В. Измерены гистограммы и диаграммы распределения по МФП тока фотодиодов, фоточувствительности и удельной обнаружительной способности D* МФП с граничной длиной волны 5,1 мкм при рабочей температуре 200 К.