В. Н. Овсюк, Н. Х. Талипов
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Исследовались особенности формирования n+/n-/p-структуры в кристаллах CdxHg1-xTe p-типа при низкотемпературной (80 К) имплантации ионов бора. Распределение донорных центров в имплантированных кристаллах определялось методом дифференциальных холловских измерений при 77 К. Впервые обнаружено, что низкотемпературная имплантация больших доз ионов бора приводит к подавлению процесса формирования n+/n-/p-структуры. Сделан вывод о частичном отжиге радиационных дефектов кристаллической структуры и электрической активации бора в процессе ионной имплантации при комнатной температуре.