В. Б. Куликов, Л. М. Василевская, Г. Х. Аветисян, В. А. Тэгай, Ю. И. Завадский, А. Х. Давыдов
ГУП «НПП “Пульсар”», Москва, Россия
И. Д. Залевский, И. В. Будкин
АО “Сигм-Плюс”, Москва, Россия
Д. В. Бородин
ООО «РТК “Импекс”», Москва, Россия
Представлены результаты исследования характеристик многоэлементного фотоприемника (ФП) на основе структур с квантовыми ямами (СКЯ), чувствительного в диапазоне 8—12 мкм, а также спектры фоточувствительности ФП, его шумовые свойства, разрешающая способность и др. ФП был изготовлен из эпитаксиальной структуры GaAs/AlGaAs, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии. Обсуждены возможности улучшения характеристик ФП. ФП на основе структур с квантовыми ямами (КЯ) сегодня получают все большее распространение. Несмотря на то, что уже созданы полноформатные матрицы на основе СКЯ, существуют области применения, где достаточно эффективно могут быть использованы ФП с относительно малым числом элементов.