Л. М. Василевская, Ю. А. Кузнецов, В. Б. Куликов, А. И. Хатунцев
ГУП «НПП “Пульсар”», Москва, Россия
И. В. Будкин, П. В. Булаев, И. Д. Залевский, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский
АО “Сигм-Плюс”, Москва, Россия
Методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженном давлении были выращены полупроводниковые гетероструктуры (ГС) с множественными квантовыми ямами (МКЯ) для многоэлементных фотоприемников (ФП), работающих в спектральном диапазоне 3—5 мкм, на основе системы InGaAs/AlGaAs. Условия роста были оптимизированы для получения ГС повышенной однородности, пригодных для изготовления матричных ФП. Температура роста составила 750 °С, давление 60 мм рт. ст. Изготовленные тестовые ФП продемонстрировали обнаружительную способность D*= 5,65x109смxГц1/2xВт-1 в максимуме спектральной чувствительности на длине волны lmax= 5,2 мкм при температуре 77 К. Полученные результаты показывают потенциальную возможность использования гетероструктур на основе InGaAs/AlGaAs для изготовления матриц, фоточувствительных в области 3—5 мкм, с большим количеством элементов. Предложены пути дальнейшего улучшения параметров ФП.