И. Ю. Ларцев, М. С. Никитин, Г. В. Чеканова
Федеральное государственное унитарное предприятие “Альфа”, Москва, Россия
Представлены основные фотоэлектрические параметры миниатюрных фотоэлектрических полупроводниковых приемников (ФЭПП) на основе фоторезисторов (ФР) из материала кадмий—ртуть—теллур (КРТ). Разработана широкая номенклатура ФЭПП с трехкаскадным термоэлектрическим охладителем (ТЭО), обладающих предельно высокими значениями удельной обнаружительной способности и вольтовой чувствительности в диапазонах спектра от 3,0 до 5,5 мкм и от 7,5 до 10,6 мкм.