И. Ю. Ларцев, М. С. Никитин, Г. В. Чеканова
Федеральное государственное унитарное предприятие “Альфа”, Москва, Россия
Исследованы зависимости величин удельной обнаружительной способности D*lmax и вольтовой чувствительности Sulmax охлаждаемых фотоэлектрических полупроводниковых приемников (ФЭПП) на основе фоторезисторов (ФР) из материала кадмий—ртуть—теллур (КРТ) от плотности потока фонового излучения. Уровень фоновой облученности определялся температурой окружающей среды Тфон @ 295 К и варьировал от (8—10)Е+17 до (6—8)Е+15 фотон см-2*с-1. Измерения D*lmax и Sulmax проведены на многоэлементных фоторезисторах (2x32 и 128 элементов) с максимумом спектральной чувствительности на длине волны 10,5—12,0 мкм при рабочей температуре ~78 К. Показано, что приемники являются BLIP (background limited performance) ФЭПП.