В. Б. Куликов, Г. Х. Аветисян, Л. М. Василевская
ГУП НПП “Пульсар”, Москва, Россия
И. Д. Залевский, И. В. Будкин, А. А. Падалица
АО “Сигм-Плюс”, Москва, Россия
Показано, что основные успехи в области разработки приборов на основе структур с квантовыми ямами (СКЯ—QWS) связаны с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Однако наряду с МЛЭ в последнее время для выращивания СКЯ все больше используют газовую эпитаксию из металлоорганических соединений (МОСГЭ), обладающую большей производительностью, чем МЛЭ. Опыт работы с фотоприемниками (ФП) на основе СКЯ, выращенных методом МОСГЭ, показывает, что такие ФП обладают рядом отличий от аналогов из СКЯ, выращенных МЛЭ: более существенная несимметричность вольт-амперных характеристик (ВАХ), наличие значительной фоточувствительности при нормальном падении излучения без специальных устройств ввода. Указанные отличия связаны, на наш взгляд, с особенностями МОСГЭ. Представлены результаты экспериментального исследования ФП на основе СКЯ, полученных методом МОСГЭ; обсуждается их связь с особенностями СКЯ, обусловленными процессом МОСГЭ.