Б. Н. Васичев
Московский государственный институт электроники и математики (Технический университет), Москва, Россия
Г. И. Фатьянова
ФГУДП “НИИ Электронной и ионной оптики” ФГУП «НПО “Орион”», Москва, Россия
Рассмотрены основные свойства ионно-оптических элементов ионно-зондовой установки для ионно-лучевого осаждения и ионно-лучевой литографии в производстве полупроводниковых ИК-структур.