В. П. Астахов, В. В. Карпов, Г. С. Соловьева, А. В. Талимов
ОАО «Московский завод “Сапфир”», Москва, Россия
На основе результатов многофакторного эксперимента, в котором варьировались тип исходных кристаллов, режимы имплантации ионов бериллия и постимплантационного отжига, а также тип электролита и режимы анодного окисления при защите поверхности, показано, что при прочих равных условиях применение более высокоомных исходных кристаллов приводит к увеличению уровня сигналов изготовляемых фотодиодов (ФД) на InSb. Определены характерные режимы и условия, при которых достигается наиболее высокий уровень всех фотоэлектрических параметров фото- диодов.