Б. С. Соколовский, В. К. Писаревский
Львовский национальный университет им. Ив. Франко, г. Львов, Украина
Теоретически исследуется возможность возникновения участка с отрица-тельным дифференциальным сопротивлением (ОДС) на обратной ветви ВАХ полупроводникового диода с изотипным гетеропереходом в базовой области. Формирование ОДС связано с уменьшением при росте обратного смещения тепловой генерации носителей в узкозонной части базы с толщиной порядка дебаевской длины экранирования. Показано, что наиболее благоприятная ситуация для проявления ОДС реализуется в случае, когда время жизни носителей в базовой области определяется оже-процессами.