П. Г. Дерменжи, А. Н. Думаневич, Ю. М. Локтаев, В. Я. Павлик
ГУП “Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина”, Москва, Россия
Предложена методика точного численно-аналитического расчета длительности фазы высокой обратной проводимости ts и амплитуды импульса переходного обратного тока Irrm в случае диодной структуры с резкими р+-n- и n+-n-переходами. Получено, что ts и Irrm возрастают (хотя и сублинейно) с увеличением времени жизни дырок в n-базе и скорости спада прямого тока. Показано, что зависимости граничных концентраций избыточных дырок в n-базе от времени весьма точно описываются параболическими функциями.