А. В. Двуреченский, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, И. А. Рязанцев, И. А. Никифоров, О. П. Пчеляков
Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск, Россия
Исследованы Si-переходы (типа p-i-n-диодов), содержащие в приповерхностном р-слое (~0,6 мкм) самоорганизующиеся квантовые точки (КТ) Ge. Анализ фото- и электрофизических характеристик позволил обнаружить усиление ~10-103 р-n-переходом при Т = 78 К фототока IPh(V) при освещении фотодиодов излучением с энергией фотонов, соответствующей основным межзонным переходам Si и Ge. Предлагается модель, согласно которой КТ с положительным зарядом в области Т ~78 К оказываются центрами захвата для электронов. При “прямых” напряжениях на фотодиоде (V > 0,2 В), когда в р-слое часть самоорганизующихся квантовых точек (САКТ) уже находится вне поля р-n-перехода, в условиях оптической генерации фотоносителей в Si происходит удержание электронов на САКТ, как на центрах прилипания. При этом накопление в р-слое избыточной концентрации электронов, образующих с квантовыми точками, связанными состояниями типа экситонных, способствует снижению потенциального барьера р-n-перехода и усилению фототока.