Дамньанович В.
Горно-геологический факультет Университета в Белграде, Югославия
Пономаренко В.П.
ГУП “НПО”Орион““, Москва, Россия
Приведены результаты исследования основных характеристик фотодиодов на основе Cd xHg1-xTe (КРТ) Р-типа со структурой металл-туннельно-прозрачный диэлектрик-полупроводник (МТДП-фотодиоды), на область спектра 8-11 мкм.