А. Ю. Селяков
ФГУП «НПО “Орион”», Москва, Россия
Предложена новая структура d-легированного p-n-перехода, позволяющая подавить диффузионный и генерационный темновые токи, а также темновой ток, обусловленный рекомбинацией на контактах металл—полупроводник. Проанализирована физика работы такого ИК-фотодиода и определены оптимальные параметры каждого элемента предложенной структуры. Показано, что дифференциальное сопротивление предложенного d-легированного p-n-перехода существенно больше, чем у обычного p-n-перехода, на основе того же полупроводника.