К. А. Аскеров, Ф. К. Исаев, Д. И. Караев, Р. Ю. Алиев
Институт фотоэлектроники НАН Азербайджана, г. Баку, Республика Азербайджан
Рассмотрено влияние факторов ядерного взрыва на основные параметры фотодиодов, разработанных на основе слоистого монокристалла теллурида галлия и работающих в спектральном диапазоне 0,4—1,1 мкм. В результате проводимых исследований установлено, что среднее значение времени потери (или восстановления) работоспособности фотодиодов на основе теллурида галлия в условиях импульсного гамма-облучения и импульсного нейтронного облучения составляет t ≤ 1,8 с.