Ю. М. Деготь, О. Н. Забенькин, Н. Н. Кичина, Н. В. Кравчено, А. В. Кулыманов, Ю. М. Лобиков, О. В. Огнева, М. А. Тришенков, П. Е. Хакуашев, И. В. Чинарева
ФГУП «НПО “Орион”», Москва, Россия
Представлены основные результаты разработки и изготовления одноэлементного германиевого фотодиода (ФД) с диаметром фоточувствительной площадки 1,1 мм, предназначенного для регистрации излучения лазера с диапазоном длин волн 0,8—1,6 мкм и прежде всего лазеров на 1,06 и 1,55 мкм. Фоточувствительная область создавалась имплантацией ионов бора. Все процессы ионной имплантации выполнялись через маску в фоторезисте. В качестве защитного и просветляющего покрытий использовалась пленка двуокиси кремния, осаждаемая из газовой фазы. Омические контакты создавались напылением в вакууме двухслойной системы титан—золото.