С. С. Борисов, Е. А. Грачев
Физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
С. И. Зайцев
Институт проблем технологий микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Рассмотрены проблемы моделирования спектра обратнорассеянных и истинно-вторичных электронов, а также спектров на прострел методом дискретных потерь. Полученная модель позволяет отделять электронные спектры от образцов сложной 3-мерной топологии, и в силу большей точности используемого метода дискретных потерь точнее оценивать распределение выделившейся энергии и заряда. Результаты моделирования сравниваются с экспериментальными данными, приводятся примеры моделирования изображения в РЭМ.