М. А. Степович, М. Г. Снопова, А. Г. Хохлов
Калужский филиал Московского государственного технического университета им. Н. Э. Баумана, г. Калуга, Россия
Дано описание основанного на использовании модели независимых источников метода расчета распределений неосновных носителей заряда, генерированных в двухслойном полупроводнике широким электронным пучком с энергиями, характерными для электронно-зондовых устройств (5—30 кэВ).