А.В. Филатов, В.И Лукша, Г.Э. Поповян, Ю.С. Трошкин, Ю.П. Шаронов
ГНЦ РФ ГУП« НПО «Орион», Москва, Россия
Исследовалось влияние ионного травления при температуре жидкого азота на эффективное время жизни носителей заряда в толстых (~ 1 мм) и тонких (~ 0,01 мм) образцах CdHgTe n-типа проводимости. Получено, что использование в технологии фоторезисторов ионного травления при криогенных температурах позволяет снизить скорость рекомбинации на боковых гранях фоточувствительных элементах и за счет этого увеличить вольтовую чувствительность классических фоторезисторов и время накопления сигнала в фоторезисторах типа “SPRITE”. Приведены параметры фотоприемников.