В.П. Рева
НИИ микроприборов, г. Киев, Украина
Ф.Ф. Сизов
Институт физики полупроводников, г. Киев, Украина
Обсуждены:
- особенности применения наиболее известных из используемых для предварительной обработки сигналов от многоэлементных инфракрасных фотодиодных линееек и матриц устройства считывания. Обычно такие устройства включают в себя схемы сопряжения с инфракрасными (ИК) фотодиодами, схемы предмультиплексной обработки (накопления, деления, скимминга, антиблюминга), схемы мультиплексирования, схемы усиления;
- взаимосвязи зависимости эквивалентной шуму разности температур (noise equivalent difference temperature (NEDT)) фотоприемных устройств (ФПУ) от параметров фотодиодов и схем сопряжения, требования к технологическим параметрам устройств считывания.
Показано, что предмультиплексная обработка электрических сигналов от фотодиодов позволяет расширить динамический диапазон ФПУ, хотя и приводит к ухудшению их параметров.
Приводятся характеристики работы некоторых устройств считывания в различных режимах - деления, скимминга, скимминга + деления, и оценки NEDT в этих режимах.
Рассмотрены:
- ПЗС регистры, которые обычно применяются в качестве мультиплексоров в ФПУ с линейками фотодиодов;
- температурные зависимости эффективности переноса для различных типов ПЗС (с поверхностным и объемным каналом), изготовленных по разным технологическим маршрутам.